一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法
2020-10-18
来源：要发发教育
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010110066.1 （22）申请日 2020.02.23
（71）申请人 华中科技大学;北京钢研新冶精特科技有限公司
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
（10）申请公布号 CN111302806A
（43）申请公布日 2020.06.19
（72）发明人 李晨辉;邹阳;胡梁;史玉升;刘江安;吴甲民;贺智勇;张启富 （74）专利代理机构 华中科技大学专利中心
代理人 李智
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法
（57）摘要
本发明属于陶瓷制备领域，并具体公开了
一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法。该制备方法具体为：将AlN、Sm
法律状态
法律状态公告日
2020-06-19 2020-06-19 2020-07-14
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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